虽然他们的术语确实有所不同，但许多IC制造商要么调整现有的产品线，要么创造全新的产品来解决传感器融合任务。该处理由控制器芯片完成，该芯片可以被识别为MCU，传感器集线器或传感器融合处理器。我们已经看到这种技术应用于智能手机，活动监视器和其他设备的消费市场。技术的融合幸运的是，正如他们在电子产品的其他领域所做的那样，许多IC制造商已经承担了繁重工作的任务。借助现成的传感器融合和传感器集线器芯片，现在可以有效地连接各种数字传感器以及其他路径。创建自己的算法的负担已经消除。
假设电荷存储在电极①(加有10V电压)下面的势阱中，如图2(a)所示，加在CCD所有电极上的电压，通常都要保持在高于某一临界值电压Vth，Vth称为CCD阈值电压，设Vth=2V。所以每个电极下面都有一定深度的势阱。显然，电极①下面的势阱深，如果逐渐将电极②的电压由2V增加到10V，这时，①、②两个电极下面的势阱具有同样的深度，并合并在一起，原先存储在电极①下面的电荷就要在两个电极下面均匀分布，(b)和(c)所示，然后再逐渐将电极下面的电压降到2V，使其势阱深度降低，(d)和(e)所示，这时电荷全部转移到电极②下面的势阱中，此过程就是电荷从电极①到电极②的转移过程。如果电极有许多个，可将其电极按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的顺序分别连在一起，加上一定时序的驱动脉冲，即可完成电荷从左向右转移的过程。用3相时钟驱动的CCD称为3相CCD。
由于数据传送方式不同，因此CCD与CMOS传感器在效能与应用上也有诸多差异，这些差异包括：由于CMOS传感器的每个象素由四个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与A/D转换电路)，使得每个象素的感光区域远小于象素本身的表面积，因此在象素尺寸相同的情况下，CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。由于CMOS传感器采用一般半导体电路的CMOS工艺，可以轻易地将周边电路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到传感器芯片中，因此可以节省外围芯片的成本
以上信息由专业从事CCD传感器报价的台湾研新于2025/3/23 6:32:15发布
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