在大多数情况下，这些功能在手机中“始终打开”。如果来自这些传感器的数据处理由手机的中央微控制器管理，则电池寿命将大大缩短。相反，的MCU芯片使用一小部分功率将数据作为传感器集线器处理。恩智浦ARM M3系列MCU就是一个例子。根据EETimes报道的产品拆解Chipworks的说法，Apple使用定制版本的NXP芯片来监控iPhone 5S中的传感器。“M7控制各种离散传感器的功能，包括陀螺仪，加速度计和指南针。”三星与Atmel（Core 8位AVR MCU）的微控制器承担相同的任务。
目前的趋势是将MCU与三个或更多MEMS传感器组合在一个封装中。其中一个例子是意法半导体的LIS331EB，它将三轴数字加速度计与微控制器结合在一个3 x 3 x 1 mm封装中。该微控制器是一款超低功耗ARM Cortex-M0，具有64 KB闪存，128 KB RAM，嵌入式定时器，2xI2C（主/从）和SPI（主/从）。LIS331EB还可以内部处理外部传感器（总共9个）检测到的数据，例如陀螺仪，磁力计和压力传感器。作为传感器集线器，它将所有输入与iNEMO Engine软件融合在一起。STMicroelectronics的iNEMO发动机传感器融合软件套件采用一套自适应预测和滤波算法来感知（或融合）来自多个传感器的复杂信息。
三线传感器CCD：在三线传感器中，三排并行的像素分别覆盖RGB滤镜，当彩片时,完整的彩片由多排的像素来组合成。三线CCD传感器多用于数码相机，以产生高的分辨率和光谱色阶。
交织传输CCD：这种传感器利用单独的阵列摄取图像和电量转化，允许在拍摄下一图像时在读取当前图像。交织传输CCD通常用于低端数码相机、摄像机和拍摄动画的广播拍摄机。
假设电荷存储在电极①(加有10V电压)下面的势阱中，如图2(a)所示，加在CCD所有电极上的电压，通常都要保持在高于某一临界值电压Vth，Vth称为CCD阈值电压，设Vth=2V。所以每个电极下面都有一定深度的势阱。显然，电极①下面的势阱深，如果逐渐将电极②的电压由2V增加到10V，这时，①、②两个电极下面的势阱具有同样的深度，并合并在一起，原先存储在电极①下面的电荷就要在两个电极下面均匀分布，(b)和(c)所示，然后再逐渐将电极下面的电压降到2V，使其势阱深度降低，(d)和(e)所示，这时电荷全部转移到电极②下面的势阱中，此过程就是电荷从电极①到电极②的转移过程。如果电极有许多个，可将其电极按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的顺序分别连在一起，加上一定时序的驱动脉冲，即可完成电荷从左向右转移的过程。用3相时钟驱动的CCD称为3相CCD。
以上信息由专业从事CCD传感器报价的台湾研新于2025/8/1 7:15:11发布
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